1

组合敏感类型

表压-温度

绝压-温度

差压-静压-温度

表压-绝压-温度

2

压力敏感芯片类型

PN结,SOI

3

温度元件类型

扩散硅、薄膜铂电阻

1^*

4

基准压力量程

表压、

绝压

差压

静压

20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa

100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa

0～1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa

1MPa、6MPa

10MPa

30MPa

1^*

压力过载能力

表压、绝压单向≥3（≤10MPa）、≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）、≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）

差压双向≥4倍基准量程

2^*

被测介质

与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体

压力桥路电阻

3～5kΩ、

4

零点输出

≤ ±1mV

3^*

5

压力满量程输出

≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基准量程）

3^*

6

压力准确度

≤ ±0.25%FS（典型值）

3^*、4^*

7

差压灵敏度对称性

≤ ±0.3%FS（典型值）

8

工作温度

-55～+125℃（PN结）,-55～+180℃（SOI）

5^*、1^*

9

零点热漂移

PN结：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基准量程）

3^*、6^*

SOI：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）

10

满量程热漂移

PN结芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基准量程）

3^*、6^*

SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）

11

绝缘电阻

>100MW  

8^*

12

短期稳定性

±0.05%FS/8h

3^*

13

长期稳定性

≤±0.1%FS/年（PN结）；≤±0.08%FS/年（SOI）

3^*

14

激励电源

恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V

15

热敏电阻阻值

扩散硅40～60kΩ；铂薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500

16

热电阻温度系数

扩散硅≥30Ω/℃；铂薄膜3850ppm/℃

电气连接模式

接插件、多芯线缆

17

测量接口形式

螺纹、法兰